廣州金程科學儀器公司供應等離子刻蝕機，RIE反應離子刻蝕機采用RIE反應離子誘導激發(fā)方式，實現對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特 別適合于大學、科研院所，微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及 復雜的幾何構形進行 RIE反應離子刻蝕。具體包括：

介 電 材 料 (SiO2、SiNx等)

硅基材料 (Si,a-Si,poly Si)

III-V材料 (GaAs、InP、GaN 等)

濺射金屬 (Au、Pt、Ti、Ta、W等)

類金剛石 (DLC)

等離子刻蝕機原理：

等離子蝕刻，也稱為干法蝕刻，等離子刻蝕機 是一種利用等離子體對半導體材料進行刻蝕加工的 設備，是半導體制造過程中的設備之一。 利用等離子體作為蝕刻介質，通過控制射頻功率、 氣體流量、壓力、蝕刻氣體種類、處理時間、平臺 溫度等工藝參數，選擇性地移除沉積層特定部分的 材料，將圖案蝕刻到基材上的過程。

應用領域：主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學、通訊等領域的器件研發(fā)和制造。

儀器特點：

7寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面，自動控制監(jiān)測工藝參數狀態(tài)，20個配方程序，工藝數據可存儲追溯。

PLC 工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。

真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質，耐腐蝕無污染。

采用防腐數字流量計，實現對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，可輸入氧氣、氬氣、 氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

采用花灑式多孔進氣方式，改變單孔進氣不均勻問題。

HEPA 高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。

符合人體功能學的60度傾角操作界面設計，操作方便，界面友好。

采用頂置真空艙，上開蓋設計，下壓式鉸鏈開關方式。

上置式360度水平取放樣品設計，符合人體功能學，操作更方便。

有效處理面積大，可處理最大直徑154mm  晶元硅片。

安全保護，艙門打開，自動關閉電源，機器運行、停止提示。

等離子刻蝕機技術參數：

備注： 可選：1、冷卻循環(huán)水器：溫度控制范圍-20-100℃;2、分子泵：分子泵抽速85L/s(N2)  極 限 真 空 ：LF<8*10-

6Pa,CF<8*10-7Pa。

等離子刻蝕機信息由廣州金程科學儀器有限公司為您提供。